
13 Agosto 2020
Samsung annuncia di aver dato il via alla produzione di massa della nuova memoria eUFS 3.1 da 512GB, destinata a tutti i prossimi smartphone di fascia alta. Un ulteriore step evolutivo per lo storage, che aumenta la velocità di scrittura di ben tre volte, rispetto anche alle recenti eUFS 3.0, da poco in produzione.
Parlando in termini puramente prestazionali, Samsung afferma di essere riuscita a superare la soglia di 1GB/s in scrittura sequenziale (oltre 1200 MB/s), riducendo a zero i tempi di trasferimento di file di grandi dimensioni, come video a risoluzione 8K o diverse centinaia di foto in alta qualità.
Per spostare 100GB di dati, saranno infatti sufficienti appena 90 secondi, al contrario delle eUFS 3.0 che richiedono attualmente oltre quattro minuti, per compiere la stessa operazione.
Le prestazioni random sono aumentate del 60% rispetto a quelle delle precedenti eUFS 3.0, arrivando a toccare le 100.000 operazioni di input/output al secondo (IOPS) in lettura e le 70.000 IOPS in fase di scrittura.
Oltre ad aver iniziato la produzione dei moduli da 512GB, Samsung anticipa che arriveranno sul mercato anche tagli inferiori, rispettivamente da 256GB e 128GB con le medesime prestazioni. Con buona probabilità, le nuove memorie eUFS 3.1 troveranno posto a bordo dei prossimi Galaxy Note 20, per la quale sono già iniziati a circolare alcuni rumor.
Commenti
A quanto si dice dovrebbero esordire già con il RedMi K30 Pro tra meno di un mese.
lol
Per far lievitare i prezzi dei top gamma dai 1200 euro e passa. Però l'importante è implementare batterie da 5000 mAh e falle durare solo 12 ore. Ho avuto Note 1, S2, S4, S6, S7 Edge ed S10, e ormai ho l'amaro in bocca. Mi sono trovato benissimo con questi smartphone, ma è come se Samsung stesse perdendo piano piano il senso della qualità dei propri prodotti. Puoi mettermi tutte le memorie più veloci di questo mondo, ma poco importa se hai gravi carenze lato autonomie e efficienza processore.
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