Samsung Electronics è la prima ad annunciare ufficialmente chip DRAM di tipo DDR5 da 32 gigabit che preparano la strada per lo sviluppo di moduli di memoria stacked da 1 TB e rendono possibile la realizzazione moduli di memoria da 128 GB senza bisogno dell'interconnessione Through Silicon Via (TSV) e quindi senza bisogno di ricorrere a un approccio stacked (3D).

Anche Micron è al lavoro su chip da 32 gigabit, come rivelato dalla roadmap dell'Azienda, ma per il momento l'offerta della compagnia, come quella di SKHynix, si ferma alla DRAM da 24 gigabit e quindi a moduli senza processo TSV da massimo 96 GB di capienza.

Con la nostra DRAM da 32 Gb a 12 nm, ci siamo assicurati una soluzione che consentirà di realizzare moduli DRAM fino a 1 TB, cosa che ci mette in una posizione ottimale nell'ottica di soddisfare la crescente esigenza di DRAM ad alta capacità nell'era dell'intelligenza artificiale e dei grandi volumi di dati - SangJoon Hwang, vicepreseidente esecutivo DRAM Product & Technology di Samsung Electronics

Basata su un processo produttivo a 12 nanometri, la nuova DRAM Samsung offre anche una maggiore efficienza rispetto a quella da 16 gigabit. Nel caso dei moduli da 128 GB, secondo quanto riportato nel comunicato ufficiale di Samsung, si parla di una diminuzione dei consumi del 10% circa. Ed è un fattore molto importante, come sottolineato da Samsung, parlando di soluzioni aziendali come i datacenter.

Tra i recenti traguardi di Samsung troviamo anche le prime DRAM al mondo da 128 GB con supporto Compute Express Link 2.0 e le prime memorie GDDR7 che con tutta probabilità finiranno sulle schede video e sulle console di prossima generazione. Inoltre nel celebrare il traguardo dela prima DRAM da 32 gigabit, Samsung ha voluto darci una misura dell'evoluzione delle sue memorie la cui capacità è aumentata di 500.000 volte rispetto alla prima DRAM da 64 Kb realizzata dalla compagnia nel 1983.