Samsung annuncia di aver programmato la produzione in massa della DRAM DDR5 a 16 gigabit realizzata con processo produttivo a 12 nanometri. Il via nella seconda metà del 2023, quindi presumibilmente già tra un mese o poco più. È la prima volta nel segmento delle memorie volatili che si arriva a un supporto con un tale livello di raffinatezza, fanno sapere da Seul, confermando quanto detto a dicembre quando le DRAM DDR5 a 12 nm erano state annunciate.

Il passaggio al processo produttivo più avanzato porterà i vantaggi che si sperimentano anche sui SoC, quindi un più alto livello di efficienza unito a migliori prestazioni. Festeggia Jooyoung Lee, Executive Vice President of DRAM Product & Technology di Samsung Electronics:

Con una tecnologia di processo differenziata, la DRAM DDR5 a 12 nanometri offre prestazioni ed efficienza energetica eccezionali. Il prodotto riflette il nostro continuo impegno a guidare il settore delle DRAM, non limitandoci a soluzioni ad alte performance e capacità che rispondono alle esigenze del mercato informatico per l'elaborazione su larga scala, ma anche studiando dei prodotti di nuova generazione in grado di supportare una maggiore produttività.

Il salto tecnologico della nuova RAM coreana è stato reso possibile da un nuovo materiale ad ad alto κ (costante dielettrica) che accresce la capacità delle celle e da una progettazione specifica per migliorare le caratteristiche critiche del circuito.

Per la sua nuova DRAM a 12 nm Samsung ribadisce le promesse fatte a dicembre:

• velocità fino a 7,2 gigabit al secondo
  • l'elaborazione di due film 4K da 30 GB avviene in un solo secondo
• consumi inferiori malgrado l'incremento prestazionale
  • 23% di energia richiesta in meno rispetto alla DRAM precedente
• e - ma interesserà meno al consumatore, a meno che non consenta di far scendere il prezzo - migliora la produttività dei wafer del 20%.

Samsung si rivolge alle aziende IT impegnate a ridurre le emissioni inquinanti, per le quali la formula di prestazioni maggiori e consumi inferiori può risultare ghiotta, specie se utilizzano costantemente le macchine per operazioni ad alta intensità. La produzione in massa della DRAM a 12 nm, come detto in apertura, inizierà nella seconda metà dell'anno.