21 Marzo 2024
Sono trascorsi oltre due anni dall'ufficializzazione dello standard UFS 3.1 delle memorie di storage, quello che sino ad ora ha garantito le migliori prestazioni sia in termini di velocità sia sul fronte dei consumi. Sino ad ora, perché Samsung (Semiconductor) annuncia oggi l'arrivo delle memorie conformi al nuovo standard UFS 4.0 approvato dal JEDEC (il consorzio che definisce gli standard delle memorie di archiviazione a stato solido).
I passi in avanti sostanziali rispetto alle memorie UFS 3.0 e 3.1 si collocano sempre nel solco delle velocità di trasferimento dei dati più elevate e della migliore efficienza energetica.
Più nel dettaglio, le memorie UFS 4.0:
- garantiscono una velocità di trasferimento dei dati massima di 23,2Gbps per lane, valore raddoppiato rispetto alle memorie UFS 3.1;
- utilizzano memorie V-NAND Samsung di settima generazione e un controller proprietario che permettono di raggiungere una velocità di lettura sequenziale sino a 4.200MB/s e di scrittura sequenziale sino a 2.800MB/s;
- migliorano l'efficienza energetica con un velocità di lettura sequenziale di 6MB/s per mA, vale a dire un miglioramento del 46% rispetto alla precedente generazione con intuibili vantaggi in termini di autonomia del dispositivo che le impiega;
- sono realizzate in un package compatto: 11mm x 13mm x 1mm, accorgimento che migliora l'integrazione nel dispositivi, semplificando il lavoro dei progettisti;
- sono prodotte in varie capacità sino ad un massimo di 1TB.
Le memorie UFS 4.0 troveranno applicazione in tutti i dispositivi che necessitano di memorie con una generosa ampiezza di banda: smartphone 5G, ma anche dispositivi AR/VR e automotive. La produzione di massa delle nuove memorie è prevista per il terzo trimestre dell'anno (da luglio a settembre). Non si sa ancora quali saranno i primi dispositivi ad impiegare le nuove memorie UFS 4.0, ma una delle ipotesi più plausibili è che a farlo saranno proprio i futuri top gamma dell'azienda sudcoreana - es. la futura gamma Galaxy S23.
Commenti
Ma guarda che Apple non produce le memorie monterà queste di Samsung
no però quello che ti stupiva era la densità di dati per area, a prescindere dalla natura o interfaccia. In fondo sono sempre memorie flash
Allo stato solido pure? Non ne ho mai viste in giro
Le uniche memorie che si avvicinano alla RAM sono le Optane di Intel.
ma guarda che le mSD sono "moooolto" più grandi 1,5×1,1×0,1cm...
XD
parli della DRAM che hanno gli SSD?
le ram lpddr4 trasmettono a più di 30 GB/s
in un futuro sarà così, quando le memorie persistenti avranno gli stessi timing di accesso della RAM non esisterà ad esempio più lo spegnimento dei sistemi, ma una sorta di ibernazione istantanea e una ripresa istantanea dei sistemi.
Apple dal canto suo cosa tirerà fuori ? Staremo a vedere.
le microsd da 1tb esistono da una vita
no una gerarchia serve sempre per come sono strutturati gli os
Quindi ora servirebbe una memoria unificata rom/ssd + ram
Memoria persistente. Comunque non c'è da stupirsi delle velocità, ormai da qualche anno anche i dischi a stato solido più performanti per PC permettono di abilitare una sorta di "scrittura volatile" su disco fisso (ha nomi diversi a seconda del produttore). Operazione che permette di velocizzare di molto alcune operazioni anche senza coinvolgere la RAM. Questo perchè ormai alcune memorie, pur restando più lente della RAM, hanno raggiunto velocità tali da poter essere impiegate quasi come RAM.
Non volatile, sono le memorie che usano il 99% dei telefoni, tanto per dirne una...
:P
https://uploads.disquscdn.c...
Persistente
Scusate l'ignoranza ma stiamo parlando di memorie ram o di memoria persistente (tipo microsd per intenderci)?
1tb in 1x1 cm...pazzesco