Samsung Electronics ha annunciato la prima memoria DRAM di nuova generazione progettata per incrementare notevolmente la velocità, la capacità e il risparmio energetico per le future applicazioni 5G. Questa memoria, evoluzione della LPDDR5 lanciata nel 2018, è una LPDDR5X (Low Power Double Data Rate 5X) a 16 gigabit (Gb) realizzata con un processo produttivo a 14 nanometri ed è destinata principalmente ad applicazioni di servizi dati ad alta velocità tra cui 5G, intelligenza artificiale (AI) e "metaverso", ambente virtuale che necessita di hardware sempre più potenti.

Per quanto riguarda le prestazioni, la nuova DRAM LPDDR5X di Samsung è in grado di offrire una velocità di elaborazione dei dati fino a 8,5 gigabit al secondo, oltre 1,3 volte più veloce rispetto ai 6,4 Gbps della precedente generazione.

Il processo produttivo più efficiente, inoltre, consente di consumare circa il 20% in meno di energia rispetto alle memorie LPDDR5. Grazie alla maggiore densità di questa DRAM, inoltre, Samsung afferma di essere in grado di sviluppare chip di memoria con una capacità fino 64 GB per singolo pacchetto.

Questo il commento di SangJoon Hwang, Senior Vice President e capo del team che progetta le DRAM di Samsung Electronics:

La nostra LPDDR5X amplierà l'uso della memoria ad alte prestazioni e basso consumo oltre gli smartphone e porterà nuove funzionalità alle applicazioni all'avanguardia basate sull'intelligenza artificiale come server e persino automobili.

Samsung ha anche annunciato che cercherà di ampliare la sua gamma di DRAM mobili con continui miglioramenti in termini di prestazioni ed efficienza energetica e che inizierà a collaborare entro fine anno con i principali produttori di chipset per sviluppare una struttura più praticabile per la cosiddetta "realtà digitale" di cui la sua LPDDR5X sarà parte fondamentale.