SK Hynix, azienda tra i grandi nel panorama della produzione di memorie, ha annunciato di aver sviluppato la prima memoria HBM3, soluzione di cui si discuteva ormai da qualche anno e che finalmente sembra essere sulla buona strada per la produzione di massa. SK Hynix, da sempre in prima linea nel mercato delle DRAM HBM (High Bandwidth Memory), condivide interessanti dettagli sulle nuove HBM3 che, almeno guardando ai numeri, saranno non solo le più veloci ma anche le migliori in termini di capacità.

HBM3 rappresenta la quarta generazione di questa tipologia di memoria, dopo le prime HBM e i successivi aggiornamenti con HBM2 e le più recenti HBM2E. In sostanza si tratta di un chip costituito da diversi strati di RAM collegati attraverso la tecnologia TSV (Through Silicon Via). I chip HBM3 di SK Hynix saranno disponibili in due varianti, da 16GB e 24GB, i primi utilizzano 8 stack di chip da 2GB, i secondi 12 stack da 2GB.

Oltre a una capacità massima senza precedenti, queste memorie permetteranno anche un netto miglioramento delle prestazioni. Il produttore infatti dichiara una larghezza di banda di 819 GB/s, un incremento del 78% rispetto ai 460 GB/s garantiti dalle attuali HBM2E; giusto per fare un esempio, con una tale larghezza di banda potremmo trasferire 163 film FHD da 5GB in un secondo. Ma non è tutto, queste DRAM integrano la tecnologia ECC on-die, caratteristica che garantisce anche un'elevata affidabilità.

Le memorie HBM3 ovviamente non sono destinate al mercato consumer, verranno utilizzate nel settore dell'HPC (High Performance Computing), nei datacenter e in ambito AI, integrandosi anche con processori e acceleratori di nuova generazione.