Samsung guarda alle memorie MRAM per IA, automotive e indossabili

05 Febbraio 2021 4

Samsung sembra essere intenzionata ad esplorare con maggiore attenzione il settore MRAM, Magnetosensitive Random-Access Memory. Si tratta di una soluzione diversa dalle memorie DRAM in quanto a differenza di queste ultime che memorizzano i dati solo in presenza di una carica elettrica (da qui il termine volatile), le MRAM sono memorie non volatili che sfruttano l'effetto magnetoresistivo per memorizzare le informazioni come campo magnetico.

In termini pratici, le MRAM presentano diversi vantaggi, primi su tutti una maggior velocità rispetto alle altre soluzioni volatili (non deve cancellare i dati prima di riscriverli, risparmiando tempo) e un ridotto consumo energetico. Nonostante si tratti di una tecnologia esistente da tempo - addirittura dal secolo scorso, poi ripresa alcuni anni fa a seguito di una partnership tra Stati Uniti e Giappone ma mai sfociata in qualcosa di concreto - non è ad oggi stata implementata per la produzione di massa.

Sarebbe proprio questo uno dei punti deboli della tecnologia, poco adatta per le sue proprietà intrinseche a raggiungere volumi consistenti: questo era successo ad esempio un paio di anni fa, quando Samsung aveva iniziato a commercializzare la sua prima soluzione MRAM realizzata con processo FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) a 28nm.


Sino ad oggi l'azienda sud coreana ha applicato la tecnologia a chip per l'IoT e l'IA e microcontrollori realizzati da NXP Semiconductors, azienda che dopo la mancata acquisizione da parte di Qualcomm è finita proprio nel mirino di Samsung. Dunque potrebbe essere questo il momento giusto per tornare a investire sulle memorie MRAM, estendendone il campo di applicazione all'automotive, memorie grafiche e ai dispositivi indossabili. Del resto, le previsioni di mercato parlano chiaro: il segmento MRAM è destinato a valere 1,2 miliardi di dollari entro il 2024.

E Samsung pare aver raggiunto risultati eccellenti, decisamente superiori rispetto alle sperimentazioni degli anni precedenti: sono state ottenute dimensioni di 0,08mm2/Mbit (per la SRAM prodotta con lo stesso processo la dimensione era 0,15mm2/Mbit) e velocità di lettura e scrittura compresa tra 30 e 50ns.


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Commenti

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Mirko

Incredibile che per giocare a Forza Horizon 4 basta solo una console.

Blackbox

I memristor sono una cosa completamente differente dalla tecnologia dell'articolo qui si sta parlando di memorie che sfruttano la spintronica.

Maurizio

È da 10 anni che si parla di memristori, ma per ora nulla di concreto

B!G Ph4Rm4

Magari, sarebbe una rivoluzione assoluta.

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