Samsung lancia ufficialmente le memorie HBM2E, nome in codice "Flashbolt", terza generazione di DRAM ad alte prestazioni di tipo HBM (High Bandwidth Memory) che già aveva svelato in anteprima lo scorso anno alla GPU Technology Conference di NVIDIA.

Le caratteristiche tecniche delle nuove HBM2E Samsung rimangono sostanzialmente quelle annunciate alla GTC 2019, con un sostanziale miglioramento rispetto alla precedente generazione di HBM2 Aquabolt (gennaio 2018) e allo stesso tempo con interessanti capacità di overclock che permettono di incrementarne ulteriormente le prestazioni.

Le Samsung HBM2E Flashbolt offrono una densità doppia rispetto alle HBM2 Aquabolt, ben 16Gb per singolo die, caratteristica questa che si traduce in una capacità di 16GB per ogni stack HBM2E (8 die da 16Gb). Quanto alle prestazioni, la velocità di trasferimento dati passa da 2,4 Gbps a 3,2 Gbps (+33%) per ogni stack HBM, la banda passante sale invece a 410 GB/s. Ma non è tutto, il produttore afferma che questi chip possono operare tranquillamente fino a 4,2 Gbps (si presume in overclock), permettendo in questo modo di portare la larghezza di banda da 410 a 538 GB per secondo.

La produzione in volumi di memorie HBM2E inizierà a metà anno e nella prima fase coesisteranno sul mercato con le attuali soluzioni HBM2 Aquabolt. Decisamente molto soddisfatto Cheol Choi, vice presidente esecutivo della divisione Memory Sales & Marketing di Samsung, che dichiara:

Con l'introduzione della memoria DRAM più performante disponibile ad oggi, stiamo facendo un passo fondamentale per rafforzare il nostro ruolo di leader e innovatore nel mercato delle memorie di fascia premium; Samsung continuerà a mantenere il proprio impegno nel proporre soluzioni sempre all'avanguardia.