Samsung ha presentato le memorie HBM2E "Flashbolt", la nuova generazione di HBM2 (High Memory Bandwidth 2a gen) ad altissime prestazioni che troverà impiego in settori come il supercomputing, l'intelligenza artificiale e le schede grafiche top di gamma.

Samsung ha svelato i nuovi moduli di memoria in occasione del GPU Technology Conference (GTC), vetrina di lancio tra l'altro di molte soluzioni NVIDIA rivolte ai segmenti consumer gaming, AI e Cloud Gaming | NVIDIA GTC 2019: ray-tracing anche sulle GTX Pascal e Turing, cloud gaming e AI.

Le HBM2E Flashbolt offrono sostanziali miglioramenti rispetto alla precedente generazione HBM2 Aquabolt, non solo per quanto riguarda le prestazioni, ma anche per la densità. Le HBM2E di Samsung permettono una velocità di transferimento dati per pin pari a 3,2 Gbps, un incremento del 33% rispetto ai 2,4 Gbps delle HBM2 Aquabolt. La densità invece raddoppia, passando da 8 a 16 Gb per die: ne consegue quindi che un singolo stack HBM2E può offrire una larghezza di banda di 410 GB/s con una capacità di 16GB di memoria.

Molto soddisfatto Jinman Han, vicepresidente senior di Memory Product Planning e Application Engineering Team di Samsung Electronics, che dichiara:

Le prestazioni di Flashbolt consentiranno di offrire soluzioni avanzate per ambiti come datacenter di prossima generazione, intelligenza artificiale, apprendimento automatico e applicazioni grafiche. Continueremo ad espandere la nostra offerta DRAM di fascia premium e miglioreremo il nostro segmento di memoria ad alte prestazioni, alta capacità e bassa potenza per soddisfare la domanda del mercato.