Micron Technology annuncia ufficialmente la seconda generazione di memorie NAND 3D destinate all'integrazione nei dispositivi mobile, in particolare agli smartphone di fascia alta. Questi dispositivi sono sempre più esigenti in termini di prestazioni per via dell'implementazione dell'AI, della Realtà Virtuale e delle tecniche di riconoscimento facciale, tutti applicazioni in cui prestazioni di picco e l'access time sono di fondamentale importanza.

Le nuove NAND 3D TLC 64-layer targate Micron sono conformi allo standard USF 2.1 e, oltre a offrire prestazioni ed efficienza nettamente superiori alla precedente generazione, permettono di migliorare la densità grazie al design Micron CuA (CMOS under Array).

Questi chip sono basati su die da 32GB con misure pari a 59,341 mm2, caratteristica che permette a Micron di offrire soluzioni con capacità di 64, 128 e 256GB.

Gino Skulick, vice presidente del marketing Micron per la Mobile Business Unit, dichiara a proposito del lancio:

La memoria svolge un ruolo sempre più critico nel garantire le funzionalità più avanzate che ci aspettiamo dai nostri smartphone. Micron offre sia memorie DRAM che NAND 3D per il mobile, e il nostro design all'avanguardia garantisce le prestazioni richieste dagli smartphone più avanzati.

Nel comunicato ufficiale, Micron non parla di disponibilità effettiva sul mercato, ma è probabile che vedremo i primi esemplari di queste nuove NAND 3D sui dispositivi top di gamma di prossima generazione.

Caratteristiche di rilievo delle NAND Micron 3D TLC 64-layer:

• Architettura Micron ottimizzata per il mobile che garantisce prestazioni, basse latence e consumi ridotti.
• Prestazioni del 50% più veloci rispetto alla precedente generazione di NAND 3D mobile
• Densità doppia rispetto alla precedente generazione, mantenendo le stesse dimensioni del package
• Lo standard USF 2.1 G3-2L garantisce una larghezza di banda doppia rispetto alle memorie eMMC 5.1
• I nuovi die NAND 32GB da 59,3 mm2 sono attualmente i più piccoli in commercio