RAMBUS ha svelato le specifiche tecniche delle prossime memorie ad alte prestazioni HBM3 e DDR5, prodotti molto attesi sul mercato che porteranno netti miglioramenti sia a livello prestazionale sia sotto il profilo dell'efficienza energetica

Bisogna sottolineare che si tratta di specifiche preliminari ancora suscettibili di modifiche, inoltre parliamo di soluzioni che non vedremo sul mercato retail prima del 2019. Sul fronte HBM sappiamo che sia AMD che Nvidia utilizzeranno HBM2 per tutto il 2018, mentre per quanto riguarda le DDR5 non è prevista al momento nessuna piattaforma che supporti tale standard (Intel Cacscade Lake X atteso per il Q4 2018 utilizzerà sicuramente DDR4).

I dati forniti da RAMBUS non contengono molti dettagli, ma la slide pubblicata conferma che le HBM3 raddoppieranno le performance delle HBM2, mentre le prestazioni delle DDR5 saranno maggiori di 1,5-2 volte rispetto a quelle delle DDR4.

I chip HBM3 saranno realizzati con processo produttivo a 7 nanometri e avranno un transfer-speed di 4000 Mbps; bisognerà ovviamente considerare il bus utilizzato, ma, per fare un esempio, una HBM2 da 2 Gbps riesce ad offrire una banda di 256GB/s con bus a 1024 bit.

Passando alle DDR5, il processo produttivo passerà dagli attuli 28nm a 7 nm, mentre lo scaling potrebbe essere più contenuto rispetto alle HBM3. RAMBUS conferma che si passerà dagli attuali 3200 MT/s delle DDR4 a 4800/6400 MT/s; molto probabilmente i primi modelli che giungeranno sul mercato saranno da 4800 MT/s, un boost comunque niente male se si pensa che le prime DDR4 avevano frequenze pari alle DDR3 più veloci.

Ricapitolando, quindi, le nuove memorie saranno più veloci e sicuramente molto efficienti grazie al processo produttivo a 7nm; probabilmente ci sarà da aspettare ancora un paio di anni, senza considerare che in fase di lancio questi prodotti saranno molto costosi.